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• 精密研磨方法:線接触方式を採用
• 高スループット: 20〜30sec (搬送時間除く/例 標準的なウェーハ）
• ウェーハ形状に対応した研磨方式
• 研磨による形状変化防止（TOP・CHAMFER部の交点）
• エッジ円周部全面にわたる表面粗さの均一化を短時間加工で実現
• 300mmウェーハ対応可能

• Precision Polishing: DIRECT LINE CONTACT
• High throughput: 20〜30sec (without Handling/Ex. Standard etched wafer)
• Utilize a polishing method to meet the shape of a wafer
• Protection against warping, cracking, chipping and other
• Full, high precision polish capability within a short time
• 300mm wafer application

• 世界初の両面研磨装置
• 3枚定盤研磨方式の採用により、生産性を飛躍的に向上
• 上定盤、下定盤の非回転機構の採用により、加工品質を格段に向上
• 特許取得: No. 2984263
• 用途例: 各種半導体ウェーハ、ガラスHD、LCD、水晶 等

• First ever 3 platen double sided polishing device
• Production efficiency greatly improved through the use of a 3 platen System
• Process quality significantly improved by fixing the upper and lower platens
• Japan Pat. No.2984263
• Application: Si wafer, GaAs wafer, LT/LN wafer, Glass HD, LCD substrate, Crystal etc.

• 高生産性:4インチウェーハを50枚同時加工
• 高い信頼性:0.15-0.20mm厚ウェーハ加工を実現
• アプリケーションの広さ:キャリアサイズを10〜26インチ迄選択可能
• ラップ機対応可能
• 自動化対応可能

• High productivity (Over 50 batch / 4 inch wafer)
• High reliability (Thickness wafer polishing of 0.15-0.20 mm)
• Wide application (Carrier size: 10-26 inch)
• Lapping machine possibility
• Automation possibility

• 洗浄方式: 高圧ジェット/スクラブ洗浄
• 乾燥方式: 温風乾燥 (75〜85℃)
• 冷却方式: HEPAによる送風
• 全自動装置

• Cleaning: Jet / Scrubbing cleaning
• Drying: Warm air (75〜85℃)
• Cooling: Clean air blow (HEPA)
• Full automation system

• 対象物: Siウェーハ／化合物半導体／液晶ガラス基板etc
• サイズ: φ4〜12 inch、□100〜300mm迄対応可能
• 多目的: 開発・実験対応型機、生産: 多品種／少量生産対応型機
• 多彩なレシピパターン対応可能
• ローダー・アンローダーと外付けＡＧＶとの取合い自動化
• 生産情報の管理

• Application: Silicon Wafer / Compound semiconductor /LCD etc.
• Size: Si 4〜12 inch, Glass □100〜300mm
• Multiple: For development & experimental, Production: For multiple kind & small quantity
• Multiple recipe pattern
• Loading / unloading to AGV(External or built-in)
• Computer integrated manufacturing

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